碳化硅陶瓷燒結(jié)工藝主要有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)這四種。其作用如下：
　　采用無壓燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀和大尺寸的SiC部件，因此，被認(rèn)為是SiC陶瓷的燒結(jié)方法。
　　采用熱壓燒結(jié)工藝只能制備簡單形狀的SiC部件，而且一次熱燒結(jié)過程所制備的產(chǎn)品數(shù)量很小，因而，不利于商業(yè)化生產(chǎn)。
　　采用熱等靜壓工藝可以獲得復(fù)雜形狀的SiC制品，但對素坯進(jìn)行包封，所以，也很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
　　通過反應(yīng)燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀的SiC部件，而且其燒結(jié)溫度較低，但是，反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷的高溫性能較差。
　　碳化硅陶瓷的性能因燒結(jié)法的不同而不同，下面就為大家分享下無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)中碳化硅陶瓷的性能。